BU11TD2WNVX-TL
رقم الجزء
BU11TD2WNVX-TL
تصنيف المنتجات
منظمات الجهد الكهربي - منظمات خطية منخفضة التسرب (LDO).
الصانع
ROHM Semiconductor
وصف
IC REG LINEAR 1.1V 200MA 4SSON
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
11550
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.57
$0.57
10
$0.4
$4
25
$0.36
$9
100
$0.31
$31
250
$0.29
$72.5
500
$0.27
$135
1000
$0.26
$260
2500
$0.25
$625
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 85°C
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
التيار - الساكن (Iq)
60 µA
تكوين الإخراج
Positive
عدد المنظمات
1
ميزات التحكم
Enable
ميزات الحماية
Over Current, Over Temperature, Short Circuit
نوع الإخراج باللغة العربية
Fixed
الجهد - الإخراج (الحد الأقصى)
-
التيار - الإخراج
200mA
الجهد - الإدخال (الحد الأقصى)
6V
PSRR (نسبة رفض مصدر الطاقة)
70dB (1kHz)
الجهد - الإخراج (الحد الأدنى/ثابت)
1.1V
الحزمة / العلبة
4-UDFN Exposed Pad
انخفاض الجهد (الحد الأقصى)
1.1V @ 200mA
المورد الجهاز الحزمة
SSON004X1010
أحدث المنتجات
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
