HYB25D512800CE-6
Référence :
HYB25D512800CE-6
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1500
Qté
Prix
Total
1500+
$9.8
$14700
Statut de la pièce
Discontinued at
Type de montage
Surface Mount
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Programmable
Not Verified
Type de mémoire
Volatile
Interface de mémoire
Parallel
Temps d'Écriture - Mot, Page
-
Tension d'alimentation
2.3V ~ 2.7V
Fréquence d'horloge
166 MHz
Taille de la mémoire
512Mbit
Organisation de la mémoire
64M x 8
Format de mémoire
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR
Boîtier
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Fournisseur Dispositif Emballage
66-TSOP II
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